- Masked Ion Beam Lithography
- сущ.
микроэл. проекционная ионно-лучевая литография с шаблоном
Универсальный немецко-русский словарь. Академик.ру. 2011.
Masked Ion Beam Lithography
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Ion beam lithography — By analogy to E beam lithography, focused ion beam lithography scans an ion beam across a surface to form a pattern. The ion beam may be used for directly sputtering the surface, or may induce chemical reactions in the exposed top layer (resist) … Wikipedia
Electron Beam Ion Source — Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT, Elektronenstrahl Ionenfalle) ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen… … Deutsch Wikipedia
Electron Beam Ion Trap — Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT) bzw. Elektronenstrahl Ionenfalle ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen… … Deutsch Wikipedia
Electron beam ion trap — (or its acronym EBIT) is used in physics to denote an electromagnetic bottle that produces and confines highly charged ions. It was invented by R. Marrs [Levine et al, 1988] and M. Levine at LLNL.An EBIT uses an electron beam focused by means of… … Wikipedia
EBIS — Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT, Elektronenstrahl Ionenfalle) ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen… … Deutsch Wikipedia
EBIT-Quelle — Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT, Elektronenstrahl Ionenfalle) ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen… … Deutsch Wikipedia
Elektronenstrahl-Ionenfalle — Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT, Elektronenstrahl Ionenfalle) ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen… … Deutsch Wikipedia
Elektronenstrahl-Ionenquelle — Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT, Elektronenstrahl Ionenfalle) ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen… … Deutsch Wikipedia
Elektronenstrahlionenfalle — Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT, Elektronenstrahl Ionenfalle) ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen… … Deutsch Wikipedia
Elektronenstrahlionenquelle — Eine Electron Beam Ion Trap (EBIT, Elektronenstrahl Ionenfalle) ist eine spezielle Art von Ionenfalle. Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere für die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen. In ihr werden niedriggeladene Ionen… … Deutsch Wikipedia
John Randall (nanotechnologist) — John Neal Randall is an American Electrical Engineer and nanotechnologist. As of 2006, Chief Technical Officer of Zyvex Corporartion. Previously he worked at Texas Instruments from 1985 to 2001, and Lincoln Laboratory (part of the MIT Corporation … Wikipedia
